概述(shu)

      半導體(ti)分立器(qi)件(jian)是組成集成電(dian)路的基礎(chu)，包含大量的雙端(duan)口(kou)或(huo)三端(duan)口(kou)器(qi)件(jian)，如二極管，晶體(ti)管，場效應管等。直流I-V測試是表征微電(dian)子器(qi)件(jian)工藝及材料(liao)特性的基礎(chu)，通常使用(yong)I-V特性分析或(huo)I-V曲線(xian)來決定器(qi)件(jian)的基本參數(shu)。

      分立器件I-V特(te)性測試的主要目的是通(tong)過實(shi)驗幫助工程師提取(qu)半導體(ti)(ti)器件的基(ji)本(ben)I-V特(te)性參(can)數(shu)，并在整(zheng)個(ge)工藝流程結束后(hou)評估(gu)器件的優劣。在半導體(ti)(ti)制程的多個(ge)階段(duan)都有應用(yong)，如金屬互連，鍍層階段(duan)，芯片封(feng)裝(zhuang)后(hou)的測試等。

      英鉑科學儀器的半導體分(fen)立器件I-V特性測試方(fang)案，由(you)一臺(tai)或(huo)兩臺(tai)源精密源測量單(dan)元(SMU)、夾具或(huo)探針(zhen)臺(tai)、上位機(ji)軟件構成。以(yi)三端口MOSFET器件為例(li)，配套(tao)以(yi)下設(she)備：

•兩臺(tai)Keithley 2450 精密(mi)源測量單(dan)元

•四根三同軸電(dian)纜

•夾具或帶(dai)有三(san)同軸(zhou)接(jie)口(kou)的(de)探(tan)針臺

•三同軸(zhou)T型頭

方案特點

豐富(fu)的(de)(de)內置元器件(jian)庫，可以根據測(ce)(ce)試要求選(xuan)擇(ze)所需要的(de)(de)待(dai)測(ce)(ce)件(jian)類型測(ce)(ce)試和(he)計算過程由軟件(jian)自(zi)動執行，能(neng)夠顯(xian)示數據和(he)曲(qu)線， 節省了大量的(de)(de)時間精準穩定的(de)(de)探針臺(tai)，針座分(fen)辨率可高(gao)達0.7um，顯(xian)微鏡(jing)放大倍(bei)(bei)數可高(gao)達x195倍(bei)(bei)，支持同時操(cao)作兩臺(tai)吉時利源表(biao)，可以完成(cheng)三端口器件(jian)測(ce)(ce)試。

測試材料

二極管特性的測(ce)量與分析

雙極型晶體管BJT特性的測量與分(fen)析

MOSFET場(chang)效應晶體管特性的(de)測量與(yu)分析

MOS 器件的參數提取