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真空低溫電學測試探針臺的技術指標都有什么返回列表

真空低溫電學測試探針臺有以下十五技術指標1、溫度范圍:80 K-475 K;2、制冷形式:采用液氮制冷;3、循環時間:小于2 5小時;4、4個直流探

真空低溫電學測試探針臺有以下十五技術指標

1、溫度范圍:80 K-475 K;

2、制(zhi)冷(leng)形式:采用液氮制(zhi)冷(leng);

3、循環時間:小(xiao)于2.5小(xiao)時;

4、4個直流探針(zhen)臂(bei),用來(lai)做電學實(shi)驗,可進行直流到50 MHz的電學測量(liang);

5、探(tan)針臂的可移(yi)動距離X方向51 mm;

6、*在一個探針臂上安裝溫度計,可(ke)方便實時監測(ce)探針溫度,準確判斷系統(tong)是否達到(dao)溫度平衡;

7、*回溫(wen)方式:防輻射屏上(shang)安裝溫(wen)度計和加(jia)熱器,系統可進行快速回溫(wen);

8、采(cai)用四(si)通(tong)道(dao)高性(xing)能控溫儀,可(ke)分別對防輻射屏、樣(yang)品臺(tai)、探針臂進行控溫和測溫;

9、控溫穩定性:優于±100 mK;

10、*顯(xian)微鏡系統(tong)光學分辨(bian)率(lv)優于4 µm,樣品照明采(cai)用同軸(zhou)光和(he)環形光各一(yi)套;

11、*直流探針具有(you)Guard保(bao)護(hu)結(jie)構設計,適合于進行微(wei)弱電信(xin)號測量,減少漏電流;

12、直流探針阻值為50歐姆,為射頻RF測量提供(gong)很好的匹配阻抗;

13、*探針臂分別(bie)在防(fang)輻射屏及樣品(pin)臺上熱沉,減少探針落針對樣品(pin)溫度的影(ying)響;

14、基礎溫(wen)度(du)真(zhen)空指(zhi)標:約5 × 10-5 Torr;

15、 系統配備(bei)50 L進口液氮(dan)杜瓦.。

MPI 探針臺

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