1.OM 顯微鏡觀測，外(wai)觀分析

2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡)

(1)材料內部的晶格結構，雜質(zhi)顆粒，夾雜物(wu)，沉淀物(wu)，

(2) 內(nei)部(bu)裂紋。(3)分(fen)層缺陷(xian)。(4)空洞，氣泡，空隙等。

3. X-Ray 檢測IC封裝(zhuang)中的各(ge)種缺(que)陷(xian)如層剝離(li)、爆裂、空洞以及(ji)打線的完整性(xing)，PCB制程中可(ke)能存在(zai)的缺(que)陷(xian)如對齊不良或橋(qiao)接，開(kai)路(lu)、短(duan)路(lu)或不正常(chang)連接的缺(que)陷(xian)，封裝(zhuang)中的錫(xi)球(qiu)完整性(xing)。(這幾種是芯片發生失(shi)效后首(shou)先使用的非(fei)破壞性(xing)分析手段)

4.SEM掃描電鏡(jing)/EDX能量彌散X光儀(材料結構分(fen)析/缺陷觀察，元素組成常規微(wei)區分(fen)析，精確測量元器件尺寸(cun))

5.取die，開(kai)(kai)(kai)封(feng)(feng) 使用激光開(kai)(kai)(kai)封(feng)(feng)機(ji)和自動酸(suan)開(kai)(kai)(kai)封(feng)(feng)機(ji)將被檢樣品(pin)(不(bu)適用于陶瓷和金屬封(feng)(feng)裝)的(de)封(feng)(feng)裝外(wai)殼(ke)部分去(qu)除，使被檢樣品(pin)內部結構暴露。

6. EMMI微(wei)光顯微(wei)鏡/OBIRCH鐳射光束誘發阻抗值變化測試/LC 液(ye)晶(jing)熱(re)點偵測(這三(san)者屬(shu)于常用漏電流路徑分析手段，尋找發熱(re)點，LC要借助(zhu)探針臺，示波器)

7.切(qie)割(ge)制(zhi)樣:使用切(qie)割(ge)制(zhi)樣模塊將小(xiao)樣品進行固(gu)定，以方便后續實驗進行

8.去層(ceng):使用等離子刻蝕機(ji)(RIE)去除(chu)芯片內部的鈍(dun)化層(ceng)，使被檢樣品下(xia)層(ceng)金(jin)(jin)屬(shu)暴露，如需(xu)去除(chu)金(jin)(jin)屬(shu)層(ceng)觀察下(xia)層(ceng)結構，可利用研磨機(ji)進(jin)行(xing)研磨去層(ceng)。

9. FIB做一(yi)些(xie)電路修改，切點(dian)觀察

10. Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試。

11. ESD/Latch-up靜(jing)電放電/閂鎖效用(yong)測(ce)試(shi)(shi)(有些客戶是在芯片流入客戶端之(zhi)前就進行(xing)這(zhe)兩項(xiang)可靠度(du)測(ce)試(shi)(shi)，有些客戶是失效發生(sheng)后才想到要篩取良(liang)片送驗)這(zhe)些已(yi)經(jing)提到了多數常(chang)用(yong)手段(duan)。

除了常用(yong)(yong)手段之外(wai)還(huan)有其他一些失效分析(xi)手段，原(yuan)子力顯微(wei)鏡AFM ，二次離子質(zhi)譜(pu) SIMS，飛行時間質(zhi)譜(pu)TOF - SIMS ，透射(she)(she)電鏡TEM ， 場(chang)(chang)發射(she)(she)電鏡，場(chang)(chang)發射(she)(she)掃(sao)描俄歇探(tan)針(zhen)， X 光電子能譜(pu)XPS ，L-I-V測(ce)試系統，能量損失 X 光微(wei)區分析(xi)系統等很多手段，不過這些項(xiang)目(mu)不是很常用(yong)(yong)。

芯片分析

失效分析步驟：

1.一般先(xian)做外觀檢(jian)查，看看有沒有crack，burnt mark 什么的，拍照;

2.非破(po)壞性分析：主要(yao)是xray--看內部結(jie)構，超聲波(bo)掃描顯微

鏡(C-SAM)--看有沒(mei)delaminaTIon，等(deng)等(deng);

3.電測：主要工具(ju)，IV，萬用表，示(shi)波器，sony tek370b;

4.破壞性分析：機械decap，化學 decap 芯片開封(feng)機。

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