注：這里我們主要以射頻探針臺為例總結探針臺的應用。

以RF微(wei)波(bo)射(she)頻在(zai)(zai)片(pian)測(ce)(ce)(ce)試(shi)為例，在(zai)(zai)片(pian)測(ce)(ce)(ce)量是(shi)指使(shi)用(yong)探針直接(jie)測(ce)(ce)(ce)量晶圓(Wafer)或裸芯片(pian)(Chip)的(de)(de)(de)微(wei)波(bo)射(she)頻參(can)數。相(xiang)比于常規的(de)(de)(de)鍵合(he)/封裝后的(de)(de)(de)測(ce)(ce)(ce)量，微(wei)波(bo)射(she)頻在(zai)(zai)片(pian)測(ce)(ce)(ce)量消除(chu)了(le)封裝及鍵合(he)絲(si)引入的(de)(de)(de)寄生參(can)數，可以更準確的(de)(de)(de)反應被測(ce)(ce)(ce)芯片(pian)的(de)(de)(de)射(she)頻特性undefined。微(wei)波(bo)射(she)頻在(zai)(zai)片(pian)測(ce)(ce)(ce)量廣泛(fan)應用(yong)于器件(jian)建模、芯片(pian)檢驗等領域。

隨著(zhu)5G、汽車雷(lei)達等技術的發展，在(zai)片(pian)(pian)測(ce)試也進入了亞毫(hao)米波/太(tai)赫(he)茲頻段，對在(zai)片(pian)(pian)測(ce)試技術提出了更高(gao)的挑戰。

在片測量系統

：

微(wei)波(bo)(bo)射頻(pin)(pin)在(zai)片測(ce)(ce)量(liang)(liang)系統一般由(you)射頻(pin)(pin)/微(wei)波(bo)(bo)測(ce)(ce)量(liang)(liang)儀器(qi)和探(tan)針臺及附件(jian)組成(cheng)。 微(wei)波(bo)(bo)射頻(pin)(pin)在(zai)片測(ce)(ce)量(liang)(liang)系統中(zhong)，探(tan)針臺和探(tan)針用于芯片測(ce)(ce)量(liang)(liang)端(duan)口與射頻(pin)(pin)測(ce)(ce)量(liang)(liang)儀器(qi)端(duan)口(同軸或波(bo)(bo)導)之(zhi)間的適(shi)配;微(wei)波(bo)(bo)射頻(pin)(pin)測(ce)(ce)量(liang)(liang)儀器(qi)完成(cheng)各項所需的射頻(pin)(pin)測(ce)(ce)量(liang)(liang)。

探針臺（Probe Station）：

探針(zhen)臺是半導體(包括(kuo)集成(cheng)電路、分立器(qi)(qi)件、光電器(qi)(qi)件、傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi))行業(ye)重要(yao)的(de)檢(jian)測(ce)裝備(bei)之一(yi)，其廣泛應(ying)用(yong)于復雜(za)、高速器(qi)(qi)件的(de)精密(mi)電氣測(ce)量undefined，旨在確(que)保質量及可靠(kao)性(xing)，并縮(suo)減研發時間和器(qi)(qi)件制(zhi)造工(gong)藝的(de)成(cheng)本(ben)。通過與測(ce)試儀器(qi)(qi)的(de)配(pei)合，探針(zhen)臺將(jiang)參數特性(xing)不(bu)符合要(yao)求的(de)芯片記錄下來，在進入后序工(gong)序前予以剔除，大(da)大(da)降(jiang)低器(qi)(qi)件的(de)制(zhi)造成(cheng)本(ben)。探針(zhen)臺主要(yao)用(yong)于晶圓制(zhi)造環節的(de)晶圓檢(jian)測(ce)、芯片研發和故(gu)障分析等應(ying)用(yong)。

半導體測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)可以按生產流程可以分為三(san)類：驗(yan)證測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)、晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)、封裝(zhuang)檢測(ce)(ce)。晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)檢測(ce)(ce)環節需要(yao)使用(yong)(yong)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)儀和探(tan)針臺，測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)儀/機用(yong)(yong)于(yu)檢測(ce)(ce)芯片(pian)功(gong)能(neng)和性能(neng)，探(tan)針臺實現(xian)被(bei)測(ce)(ce)芯片(pian)與測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)機的連接，通過(guo)探(tan)針臺和測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)機的配合使用(yong)(yong)對晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)上的裸芯片(pian)進行功(gong)能(neng)和電參數測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)或射頻(pin)測(ce)(ce)試(shi)(shi)(shi)undefined，可以對芯片(pian)的良(liang)品、不良(liang)品的進行篩選(xuan)。

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